casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD5F1GQ4UFYIGR
Número de pieza del fabricante | GD5F1GQ4UFYIGR |
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Número de parte futuro | FT-GD5F1GQ4UFYIGR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD5F1GQ4UFYIGR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 120MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 700µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F1GQ4UFYIGR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD5F1GQ4UFYIGR-FT |
71V416L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel