casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD5F4GQ4RBYIGY
Número de pieza del fabricante | GD5F4GQ4RBYIGY |
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Número de parte futuro | FT-GD5F4GQ4RBYIGY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD5F4GQ4RBYIGY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 120MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F4GQ4RBYIGY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD5F4GQ4RBYIGY-FT |
71016S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel