casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M95640-WMN6TP
Número de pieza del fabricante | M95640-WMN6TP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-M95640-WMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M95640-WMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 20MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95640-WMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M95640-WMN6TP-FT |
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XC3S1500-4FG676I
Xilinx Inc.
XA7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
AT6003-2JI
Microchip Technology
EPF10K30RI240-4
Intel