casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / TC58BYG1S3HBAI6
Número de pieza del fabricante | TC58BYG1S3HBAI6 |
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Número de parte futuro | FT-TC58BYG1S3HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TC58BYG1S3HBAI6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 67-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58BYG1S3HBAI6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TC58BYG1S3HBAI6-FT |
W25Q256FVCIP
Winbond Electronics
W25Q256FVCIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel