casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M36W0R5040T5ZAQE
Número de pieza del fabricante | M36W0R5040T5ZAQE |
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Número de parte futuro | FT-M36W0R5040T5ZAQE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M36W0R5040T5ZAQE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 88-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 88-TFBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M36W0R5040T5ZAQE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M36W0R5040T5ZAQE-FT |
R1LV0108ESF-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#S0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
HYB25D512800CE-5
Sharp Microelectronics
HYB25D128800CE-6
NXP USA Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel