casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M36W0R5040T5ZAQE
Número de pieza del fabricante | M36W0R5040T5ZAQE |
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Número de parte futuro | FT-M36W0R5040T5ZAQE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M36W0R5040T5ZAQE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 88-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 88-TFBGA (8x10) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M36W0R5040T5ZAQE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M36W0R5040T5ZAQE-FT |
R1LV0108ESF-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#S0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
HYB25D512800CE-5
Sharp Microelectronics
HYB25D128800CE-6
NXP USA Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel