casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W800DB70ZM6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W800DB70ZM6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W800DB70ZM6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W800DB70ZM6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W800DB70ZM6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W800DB70ZM6F TR-FT |
M29W128GL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AN6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZS6E
Micron Technology Inc.
M29W128GL7AZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GL90N6E
Micron Technology Inc.
M29W128GSH70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W128GSL70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W160EB70ZA6
STMicroelectronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel