casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W128GL7AZS6E
Número de pieza del fabricante | M29W128GL7AZS6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W128GL7AZS6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GL7AZS6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GL7AZS6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W128GL7AZS6E-FT |
M29F200FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel