casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F800FB55M3F2 TR
Número de pieza del fabricante | M29F800FB55M3F2 TR |
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Número de parte futuro | FT-M29F800FB55M3F2 TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800FB55M3F2 TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-SOIC (0.496", 12.60mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800FB55M3F2 TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F800FB55M3F2 TR-FT |
M28W320HST70ZA6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W640HCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70NF6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6E
Micron Technology Inc.
M29DW127G70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6E
Micron Technology Inc.
M29DW256G7ANF6F TR
Micron Technology Inc.