casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M28W640HCT70N6E
Número de pieza del fabricante | M28W640HCT70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M28W640HCT70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M28W640HCT70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W640HCT70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M28W640HCT70N6E-FT |
LH5116NA-10F
Sharp Microelectronics
LHF00L31
Sharp Microelectronics
M24128-BFCS6TP/A
STMicroelectronics
M25P05-AVMB6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.
M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB6TPB TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel