casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29DW127G70ZA6E
Número de pieza del fabricante | M29DW127G70ZA6E |
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Número de parte futuro | FT-M29DW127G70ZA6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29DW127G70ZA6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 64-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 64-TBGA (10x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW127G70ZA6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29DW127G70ZA6E-FT |
M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.
M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMP6TGB0D TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VD11
Micron Technology Inc.
M25PE20-V6D11
Micron Technology Inc.
M25PE40-VMC6G
Micron Technology Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation