casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29DW127G70NF6E
Número de pieza del fabricante | M29DW127G70NF6E |
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Número de parte futuro | FT-M29DW127G70NF6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29DW127G70NF6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 56-TSOP (14x20) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW127G70NF6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29DW127G70NF6E-FT |
M24128-BFCS6TP/A
STMicroelectronics
M25P05-AVMB6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.
M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMP6TGB0D TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VD11
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel