casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F400BT70N6E
Número de pieza del fabricante | M29F400BT70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29F400BT70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F400BT70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F400BT70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F400BT70N6E-FT |
MT29F2G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.