casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABDHC-ET:D TR |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABDHC-ET:D TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABDHC-ET:D TR-FT |
MT41J128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093 J:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16LY-091G:N
Micron Technology Inc.
MT41J256M16RE-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-15E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-15E:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-107:G
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E AAT:G
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel