casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E-FT |
MT41J128M16HA-15E AIT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093 J:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16LY-091G:N
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