casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4:E
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAEAH4:E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAEAH4:E-FT |
MT41J128M16HA-15E AAT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E AIT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093 J:E
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel