casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C64-FMN6TP
Número de pieza del fabricante | M24C64-FMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M24C64-FMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C64-FMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 450ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C64-FMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C64-FMN6TP-FT |
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel