casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C16-RMN6P

| Número de pieza del fabricante | M24C16-RMN6P |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-M24C16-RMN6P |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| M24C16-RMN6P Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | EEPROM |
| Tecnología | EEPROM |
| Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
| Frecuencia de reloj | 400kHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
| Tiempo de acceso | 900ns |
| interfaz de memoria | I²C |
| Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M24C16-RMN6P Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | M24C16-RMN6P-FT |

THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.

A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation

A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation

EP3C16F256I7
Intel

5SGSED6K1F40C2L
Intel

XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.

XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.

XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.

LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation