casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IXTL2X200N085T
Número de pieza del fabricante | IXTL2X200N085T |
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Número de parte futuro | FT-IXTL2X200N085T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMV™ |
IXTL2X200N085T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 85V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 112A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7600pF @ 25V |
Potencia - max | 150W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | ISOPLUSi5-Pak™ |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOPLUSi5-Pak™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTL2X200N085T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTL2X200N085T-FT |
FDC6020C
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FDC6020C_F077
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Intel
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Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
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EP1K30QC208-3
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