casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDG6301N-F085P
Número de pieza del fabricante | FDG6301N-F085P |
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Número de parte futuro | FT-FDG6301N-F085P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
FDG6301N-F085P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 220mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Potencia - max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-70-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6301N-F085P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG6301N-F085P-FT |
APTC90HM60T3G
Microsemi Corporation
APTC90TAM60TPG
Microsemi Corporation
APTJC120AM13VCT1AG
Microsemi Corporation
APTM100A12STG
Microsemi Corporation
APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
Microsemi Corporation
10M16DAF484I7G
Intel
LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
Intel
EP20K100BC356-2
Intel
EPF10K100ABC356-2
Intel