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ON Semiconductor FDC6301N_G

Número de pieza de MFG
FDC6301N_G
Cantidad disponible
45860 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
FDC6301N_G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9.5pF @ 10V
Potencia - max 700mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC6301N_G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDC6301N_G-FT

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