casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDG6303N_G
Número de pieza del fabricante | FDG6303N_G |
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Número de parte futuro | FT-FDG6303N_G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDG6303N_G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 10V |
Potencia - max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6303N_G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG6303N_G-FT |
APTJC120AM13VCT1AG
Microsemi Corporation
APTM100A12STG
Microsemi Corporation
APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
APTM100H80FT1G
Microsemi Corporation
APTM100TA35SCTPG
Microsemi Corporation
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
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10M04SCU169C8G
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5SGXMA5K2F35I3N
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XC5VLX110-3FFG1760C
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XC7K410T-1FFG900C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FFG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5CGXBC9C6F23C7N
Intel