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APTM100H80FT1G Image

Microsemi Corporation APTM100H80FT1G

Número de pieza de MFG
APTM100H80FT1G
Cantidad disponible
77420 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTM100H80FT1G Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3876pF @ 25V
Potencia - max 208W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja SP1
Paquete del dispositivo del proveedor SP1
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100H80FT1G Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTM100H80FT1G-FT

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