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Microsemi Corporation APTSM120AM55CT1AG

Número de pieza de MFG
APTSM120AM55CT1AG
Cantidad disponible
97340 Piezas
Precio de referencia
USD 113.64352
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- POWER MODULE - SIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTSM120AM55CT1AG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 272nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5120pF @ 1000V
Potencia - max 470W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caja SP1
Paquete del dispositivo del proveedor SP1
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTSM120AM55CT1AG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTSM120AM55CT1AG-FT

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