casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFX170N20T
Número de pieza del fabricante | IXFX170N20T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFX170N20T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFX170N20T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 170A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 19600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS247™-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX170N20T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFX170N20T-FT |
IXTA3N110
IXYS
IXTA3N120TRL
IXYS
IXFA60N25X3
IXYS
IXFA102N15T
IXYS
IXFA130N10T
IXYS
IXFA14N60P
IXYS
IXFA16N50P
IXYS
IXFA3N80
IXYS
IXFA6N120P TRL
IXYS
IXTA02N250
IXYS
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel