casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFA60N25X3
Número de pieza del fabricante | IXFA60N25X3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFA60N25X3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFA60N25X3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3610pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 320W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AA |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA60N25X3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFA60N25X3-FT |
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation