casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTA3N110
Número de pieza del fabricante | IXTA3N110 |
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Número de parte futuro | FT-IXTA3N110 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTA3N110 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (IXTA) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA3N110 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTA3N110-FT |
IXTA110N055T2
IXYS
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A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
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5SGXMA3E1H29I2N
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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LCMXO2280E-4MN132I
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