casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFA130N10T
Número de pieza del fabricante | IXFA130N10T |
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Número de parte futuro | FT-IXFA130N10T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMV™ |
IXFA130N10T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 130A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5080pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 360W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (IXFA) |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA130N10T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFA130N10T-FT |
IXTA8N65X2
IXYS
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IXYS
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A54SX72A-1FG484M
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Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
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