casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFT50N60P3
Número de pieza del fabricante | IXFT50N60P3 |
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Número de parte futuro | FT-IXFT50N60P3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, Polar3™ |
IXFT50N60P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 94nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6300pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1040W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT50N60P3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFT50N60P3-FT |
IXFK20N80Q
IXYS
IXFK210N17T
IXYS
IXFK24N90Q
IXYS
IXFK25N90
IXYS
IXFK260N17T
IXYS
IXFK26N60Q
IXYS
IXFK26N90
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IXYS
IXFK30N100Q2
IXYS
IXFK30N110P
IXYS
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel