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IXYS IXFK30N100Q2

Número de pieza de MFG
IXFK30N100Q2
Cantidad disponible
25510 Piezas
Precio de referencia
USD 23.07936
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™ MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXFK30N100Q2
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™
IXFK30N100Q2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 735W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja TO-264-3, TO-264AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFK30N100Q2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFK30N100Q2-FT

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