casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK30N100Q2
Número de pieza del fabricante | IXFK30N100Q2 |
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Número de parte futuro | FT-IXFK30N100Q2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK30N100Q2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 735W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK30N100Q2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFK30N100Q2-FT |
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Microsemi Corporation
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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