casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK140N25T
Número de pieza del fabricante | IXFK140N25T |
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Número de parte futuro | FT-IXFK140N25T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFK140N25T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 140A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 19000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 960W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK140N25T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFK140N25T-FT |
APT17F100S
Microsemi Corporation
APT17F80S
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A42MX16-PQG160I
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LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
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LFE3-35EA-7FN672I
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10AX057K4F40I3SG
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