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IXYS IXFK210N17T

Número de pieza de MFG
IXFK210N17T
Cantidad disponible
62290 Piezas
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fabricante
IXYS
Breve descripción
GigaMOS™ MOSFET N-CH 170V 210A TO-264
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie GigaMOS™
IXFK210N17T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 170V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 210A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 285nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 18800pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja TO-264-3, TO-264AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFK210N17T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFK210N17T-FT

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