casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFK90N20Q
Número de pieza del fabricante | IXFK90N20Q |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXFK90N20Q |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFK90N20Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 90A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK90N20Q Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFK90N20Q-FT |
APT30F50S
Microsemi Corporation
APT37F50S
Microsemi Corporation
APT11F80S
Microsemi Corporation
APT14F100S
Microsemi Corporation
APT15F60S
Microsemi Corporation
APT17F100S
Microsemi Corporation
APT17F80S
Microsemi Corporation
APT17N80SC3G
Microsemi Corporation
APT18F60S
Microsemi Corporation
APT20F50S
Microsemi Corporation