casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / APT11F80S
Número de pieza del fabricante | APT11F80S |
---|---|
Número de parte futuro | FT-APT11F80S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWER MOS 8™ |
APT11F80S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2471pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 337W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D3Pak |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT11F80S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | APT11F80S-FT |
APT58M50JU2
Microsemi Corporation
APT58M50JU3
Microsemi Corporation
APT29F80J
Microsemi Corporation
APT30M40JVR
Microsemi Corporation
APT60M75JVR
Microsemi Corporation
APT60M60JLL
Microsemi Corporation
APT60M75JLL
Microsemi Corporation
APT50M65JLL
Microsemi Corporation
APT20M11JVFR
Microsemi Corporation
APL502J
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel