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IXYS IXFK30N110P

Número de pieza de MFG
IXFK30N110P
Cantidad disponible
29650 Piezas
Precio de referencia
USD 19.40736
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, PolarP2™
IXFK30N110P Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 235nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 13600pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja TO-264-3, TO-264AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFK30N110P Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFK30N110P-FT

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