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IXYS IXFT12N100Q

Name: IXFT12N100Q
Brand: IXYS
SKU: IXFT12N100Q
Availability: InStock
Rating: 4.8 (138 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFT12N100Q

Cantidad disponible: 34010 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFT12N100Q.pdf

IXFT12N100Q Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFT12N100Q
Número de parte futuro	FT-IXFT12N100Q
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFT12N100Q Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2900pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268
Paquete / Caja	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT12N100Q Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFT12N100Q-FT

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