casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFT6N100F
Número de pieza del fabricante | IXFT6N100F |
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Número de parte futuro | FT-IXFT6N100F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerRF™ |
IXFT6N100F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 180W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 (IXFT) |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT6N100F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFT6N100F-FT |
IXTK102N30P
IXYS
IXTK120N20P
IXYS
IXTK120N25P
IXYS
IXTK120P20T
IXYS
IXTK140N20P
IXYS
IXTK150N15P
IXYS
IXTK170N10P
IXYS
IXTK17N120L
IXYS
IXTK200N10P
IXYS
IXTK20N150
IXYS
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel