casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTK200N10P
Número de pieza del fabricante | IXTK200N10P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IXTK200N10P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ |
IXTK200N10P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-264 (IXTK) |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK200N10P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTK200N10P-FT |
IXFK140N20P
IXYS
IXFK230N20T
IXYS
IXFB60N80P
IXYS
IXFK120N20
IXYS
IXFK55N50
IXYS
IXFK64N60P3
IXYS
IXFK78N50P3
IXYS
IXFK180N10
IXYS
IXTK140N30P
IXYS
IXFK66N85X
IXYS
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation