casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTT30N60L2
Número de pieza del fabricante | IXTT30N60L2 |
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Número de parte futuro | FT-IXTT30N60L2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Linear L2™ |
IXTT30N60L2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 335nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10700pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 540W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT30N60L2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTT30N60L2-FT |
IXFK94N50P2
IXYS
IXTK100N25P
IXYS
IXTK102N30P
IXYS
IXTK120N20P
IXYS
IXTK120N25P
IXYS
IXTK120P20T
IXYS
IXTK140N20P
IXYS
IXTK150N15P
IXYS
IXTK170N10P
IXYS
IXTK17N120L
IXYS
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel