casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTT48P20P
Número de pieza del fabricante | IXTT48P20P |
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Número de parte futuro | FT-IXTT48P20P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarP™ |
IXTT48P20P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 48A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 462W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-268 |
Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT48P20P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTT48P20P-FT |
IXTK100N25P
IXYS
IXTK102N30P
IXYS
IXTK120N20P
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IXTK120N25P
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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