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IXYS IXFT10N100

Name: IXFT10N100
Brand: IXYS
SKU: IXFT10N100
Price: 9.2056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (193 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFT10N100

Cantidad disponible: 79980 Piezas

Precio de referencia: USD 9.2056

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFT10N100.pdf

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IXFT10N100 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFT10N100
Número de parte futuro	FT-IXFT10N100
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFT10N100 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4000pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268
Paquete / Caja	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT10N100 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFT10N100-FT

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