casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN260N17T
Número de pieza del fabricante | IXFN260N17T |
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Número de parte futuro | FT-IXFN260N17T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GigaMOS™ |
IXFN260N17T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 170V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 245A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 24000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1090W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN260N17T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFN260N17T-FT |
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Xilinx Inc.
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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