casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN70N120SK
Número de pieza del fabricante | IXFN70N120SK |
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Número de parte futuro | FT-IXFN70N120SK |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXFN70N120SK Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 15mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 20V |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2790pF @ 1000V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN70N120SK Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFN70N120SK-FT |
IXFH23N80Q
IXYS
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IXYS
IXFH26N55Q
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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