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IXYS IXFH26N55Q

Name: IXFH26N55Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH26N55Q
Availability: InStock
Rating: 5.0 (327 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFH26N55Q

Cantidad disponible: 32850 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH 550V 26A TO-247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFH26N55Q.pdf

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IXFH26N55Q Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFH26N55Q
Número de parte futuro	FT-IXFH26N55Q
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFH26N55Q Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	550V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	26A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	92nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3000pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH26N55Q Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFH26N55Q-FT

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