casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH10N100P
Número de pieza del fabricante | IXFH10N100P |
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Número de parte futuro | FT-IXFH10N100P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFH10N100P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1000V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3030pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 380W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH10N100P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH10N100P-FT |
IXFT24N50
IXYS
IXFT24N50Q
IXYS
IXFT26N50
IXYS
IXFT26N50Q
IXYS
IXFT26N60Q
IXYS
IXFT28N50Q
IXYS
IXFT30N50
IXYS
IXFT30N50Q
IXYS
IXFT30N60Q
IXYS
IXFT32N50
IXYS
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel