casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFH110N10P
Número de pieza del fabricante | IXFH110N10P |
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Número de parte futuro | FT-IXFH110N10P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PolarHT™ HiPerFET™ |
IXFH110N10P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3550pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 480W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD (IXFH) |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH110N10P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFH110N10P-FT |
IXFT26N50
IXYS
IXFT26N50Q
IXYS
IXFT26N60Q
IXYS
IXFT28N50Q
IXYS
IXFT30N50
IXYS
IXFT30N50Q
IXYS
IXFT30N60Q
IXYS
IXFT32N50
IXYS
IXFT32N50Q
IXYS
IXFT36N60P
IXYS
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel