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IXYS IXFN50N120SIC

Número de pieza de MFG
IXFN50N120SIC
Cantidad disponible
53230 Piezas
Precio de referencia
USD 49.1776
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
- MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXFN50N120SIC Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 47A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 20V
Vgs (Max) +20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1900pF @ 1000V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-227B
Paquete / Caja SOT-227-4, miniBLOC
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN50N120SIC Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFN50N120SIC-FT

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