casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXFN50N80Q2
Número de pieza del fabricante | IXFN50N80Q2 |
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Número de parte futuro | FT-IXFN50N80Q2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™ |
IXFN50N80Q2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 13500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-227B |
Paquete / Caja | SOT-227-4, miniBLOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN50N80Q2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXFN50N80Q2-FT |
IXFH21N50Q
IXYS
IXFH22N55
IXYS
IXFH230N10T
IXYS
IXFH23N60Q
IXYS
IXFH23N80Q
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IXFH26N60Q
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IXFH28N50Q
IXYS
IXFH30N40Q
IXYS
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel