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Infineon Technologies IRFHM792TRPBF
- Número de pieza de MFG
- IRFHM792TRPBF
- Cantidad disponible
- 46590 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.741072
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- HEXFET® MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IRFHM792TRPBF.pdf
IRFHM792TRPBF Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IRFHM792TRPBF |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IRFHM792TRPBF |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRFHM792TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 251pF @ 25V |
| Potencia - max | 2.3W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFHM792TRPBF Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IRFHM792TRPBF-FT |
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