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Infineon Technologies IRF9388TRPBF

Número de pieza de MFG
IRF9388TRPBF
Cantidad disponible
88430 Piezas
Precio de referencia
USD 0.274888
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF9388TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1680pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9388TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF9388TRPBF-FT

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