casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSR302NL6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BSR302NL6327HTSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BSR302NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSR302NL6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 3.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 30µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 750pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC-59 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSR302NL6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BSR302NL6327HTSA1-FT |
SPP02N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP02N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP03N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N50C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP04N60S5BKSA1
Infineon Technologies
SPP04N80C3XK
Infineon Technologies
SPP06N80C3XK
Infineon Technologies
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel